Valmistajan tuotenumero:
FQPF17P10
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQPF17P10-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 100V 10.5A TO220F
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 100 V 10.5A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Varasto:
12847457
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQPF17P10 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
190mOhm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
41W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220F-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Perustuotenumero
FQPF1
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
FCH165N65S3R0-F155
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
FQPF7N10L
MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F
