Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FQPF6N90
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQPF6N90-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 900V 3.4A TO220F
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 900 V 3.4A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12848558
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQPF6N90 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
900 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3.4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.9Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1880 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
56W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220F-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Perustuotenumero
FQPF6
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
FQPF6N90
HTML-tietolomake
FQPF6N90-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STF9NK90Z
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
980
DiGi OSA NUMERO
STF9NK90Z-DG
Yksikköhinta
2.16
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STP6NK90ZFP
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
875
DiGi OSA NUMERO
STP6NK90ZFP-DG
Yksikköhinta
1.43
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
FQPF8N90C
VALMISTAJA
Fairchild Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
2796
DiGi OSA NUMERO
FQPF8N90C-DG
Yksikköhinta
1.21
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDD8451
MOSFET N-CH 40V 9A/28A DPAK
AOB4S60L
MOSFET N-CH 600V 4A TO263
AON7446
MOSFET N-CH 60V 3.3A/8A 8DFN
FDS2572
MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC