Valmistajan tuotenumero:
FQT3P20TF
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQT3P20TF-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 200 V 670mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Varasto:
12839041
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQT3P20TF Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
670mA (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.7Ohm @ 335mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-223-4
Pakkaus / Kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Perustuotenumero
FQT3P20
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
4,000
Muut nimet
FQT3P20TFCT
FQT3P20TFTR
FQT3P20TF-DG
FQT3P20TFDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDMS86581
MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN
FDFS2P103
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
HUFA75337P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
