Valmistajan tuotenumero:
FQU9N25TU
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQU9N25TU-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 250 V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole IPAK
Varasto:
12847415
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQU9N25TU Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
250 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
420mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
IPAK
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
FQU9N25
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
70
Muut nimet
ONSONSFQU9N25TU
FQU9N25TU-DG
2832-FQU9N25TU-488
2832-FQU9N25TU
FQU9N25TUOS
2156-FQU9N25TU-OS
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FQU10N20CTU
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
1315
DiGi OSA NUMERO
FQU10N20CTU-DG
Yksikköhinta
0.37
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STU7NF25
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
2850
DiGi OSA NUMERO
STU7NF25-DG
Yksikköhinta
0.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
MMSF3P02HDR2
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
FDAF59N30
MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF
