Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IRF530A
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
IRF530A-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
525 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12838826
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRF530A Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
14A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
110mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
55W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IRF530
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IRF530A
Tietokortit
IRF530A
HTML-tietolomake
IRF530A-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STP24NF10
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
720
DiGi OSA NUMERO
STP24NF10-DG
Yksikköhinta
0.64
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IRF530PBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
9188
DiGi OSA NUMERO
IRF530PBF-DG
Yksikköhinta
0.48
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IRF530NPBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
53211
DiGi OSA NUMERO
IRF530NPBF-DG
Yksikköhinta
0.32
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDB5645
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
FDMS86500L
MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
FDC637AN
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
BSS214NW L6327
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3