Valmistajan tuotenumero:
IRF620B_FP001
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
IRF620B_FP001-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 5A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 200 V 5A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
12840134
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRF620B_FP001 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
800mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
47W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IRF62
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRF620PBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
322
DiGi OSA NUMERO
IRF620PBF-DG
Yksikköhinta
0.40
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FQPF7N20L
MOSFET N-CH 200V 5A TO220F
NDT452P
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4
NVMFS5C628NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
