Valmistajan tuotenumero:
IRLS630A
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
IRLS630A-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 200 V 6.5A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
12839528
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRLS630A Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
400mOhm @ 3.25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
755 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
36W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IRLS63
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRLI630GPBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
991
DiGi OSA NUMERO
IRLI630GPBF-DG
Yksikköhinta
1.08
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
62-0218PBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO
2SK302200L
MOSFET N-CH 60V 5A U-G2
HUFA76645P3
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
