Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Kongon demokraattinen tasavalta
Argentiina
Turkki
Romania
Liettua
Norja
Itävalta
Angola
Slovakia
Ltaly
Suomi
Valko-Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Montenegro
Venäjä
Belgia
Ruotsi
Serbia
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Moldova
Saksa
Alankomaat
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Ranska
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Portugali
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Espanja
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
KSB1151YSTSSTU
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
KSB1151YSTSSTU-DG
Kuvaus:
TRANS PNP 60V 5A TO126-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 5 A 1.3 W Through Hole TO-126-3
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12836904
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
KSB1151YSTSSTU Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
PNP
Virta - kollektori (ic) (enintään)
5 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
60 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 200mA, 2A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
10µA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 2A, 1V
Teho - Max
1.3 W
Taajuus - siirtyminen
-
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-225AA, TO-126-3
Toimittajan laitepaketti
TO-126-3
Perustuotenumero
KSB11
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
KSB1151
Tietokortit
KSB1151YSTSSTU
HTML-tietolomake
KSB1151YSTSSTU-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
60
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
BD438
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
2574
DiGi OSA NUMERO
BD438-DG
Yksikköhinta
0.25
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
2N4919G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
953
DiGi OSA NUMERO
2N4919G-DG
Yksikköhinta
0.25
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
KSB1151YSTU
VALMISTAJA
Fairchild Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
29443
DiGi OSA NUMERO
KSB1151YSTU-DG
Yksikköhinta
0.36
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
KSD401G
TRANS NPN 150V 2A TO220-3
KSA1241YTU
TRANS PNP 50V 2A IPAK
FJB3307DTM
TRANS NPN 400V 8A D2PAK
495220TU_SN00120
TRANS NPN DARL 325V 4A TO220-3