MJD122T4G
Valmistajan tuotenumero:

MJD122T4G

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

MJD122T4G-DG

Kuvaus:

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 1.75 W Surface Mount DPAK

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu
12853820
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

MJD122T4G Tekniset tiedot

Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN - Darlington
Virta - kollektori (ic) (enintään)
8 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
100 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
4V @ 80mA, 8A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
10µA
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Teho - Max
1.75 W
Taajuus - siirtyminen
4MHz
Käyttölämpötila
-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Perustuotenumero
MJD122

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
MJD122_127, NJVMJD122_127
Tietokortit
MJD122T4G
HTML-tietolomake
MJD122T4G-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
MJD122T4GOSTR
2156-MJD122T4G-OS
ONSONSMJD122T4G
MJD122T4GOSDKR
MJD122T4GOS
MJD122T4GOSCT
MJD122T4GOS-DG

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
onsemi

MMBTA13LT1G

TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3

onsemi

MPS5172

TRANS NPN 25V 0.1A TO92

onsemi

MMBT6515

TRANS NPN 25V 0.2A SOT23-3

onsemi

MMBT3906K

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3