Valmistajan tuotenumero:
MJD31C1G
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
MJD31C1G-DG
Kuvaus:
TRANS NPN 100V 3A IPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Through Hole I-PAK
Varasto:
12854350
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
MJD31C1G Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - kollektori (ic) (enintään)
3 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
100 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
1.2V @ 375mA, 3A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
50µA
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Teho - Max
1.56 W
Taajuus - siirtyminen
3MHz
Käyttölämpötila
-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Toimittajan laitepaketti
I-PAK
Perustuotenumero
MJD31
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
75
Muut nimet
MJD31C1G-DG
MJD31C1GOS
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
MJD31CT4G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
2090
DiGi OSA NUMERO
MJD31CT4G-DG
Yksikköhinta
0.16
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
MJD42CRL
TRANS PNP 100V 6A DPAK
BCX70HE6327HTSA1
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
MPS6602
TRANS NPN 40V 1A TO92
