Valmistajan tuotenumero:
MJE170
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
MJE170-DG
Kuvaus:
TRANS PNP 40V 3A TO126
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 3 A 50MHz 12.5 W Through Hole TO-126
Varasto:
12852643
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
MJE170 Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
PNP
Virta - kollektori (ic) (enintään)
3 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
40 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
1.7V @ 600mA, 3A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
100nA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Teho - Max
12.5 W
Taajuus - siirtyminen
50MHz
Käyttölämpötila
-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-225AA, TO-126-3
Toimittajan laitepaketti
TO-126
Perustuotenumero
MJE170
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
MJE170OS
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS non-compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
MJE170G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
2379
DiGi OSA NUMERO
MJE170G-DG
Yksikköhinta
0.26
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
KSH112GTM_SB82051
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
MPSA12_D75Z
TRANS NPN DARL 20V 1.2A TO92-3
KSC5030FRTU
TRANS NPN 800V 6A TO3PF
