Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Kongon demokraattinen tasavalta
Argentiina
Turkki
Romania
Liettua
Norja
Itävalta
Angola
Slovakia
Ltaly
Suomi
Valko-Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Montenegro
Venäjä
Belgia
Ruotsi
Serbia
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Moldova
Saksa
Alankomaat
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Ranska
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Portugali
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Espanja
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
MJE180G
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
MJE180G-DG
Kuvaus:
TRANS NPN 40V 3A TO126
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Varasto:
139 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12855392
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
MJE180G Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Bulk
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - kollektori (ic) (enintään)
3 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
40 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
1.7V @ 600mA, 3A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
100nA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Teho - Max
1.5 W
Taajuus - siirtyminen
50MHz
Käyttölämpötila
-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-225AA, TO-126-3
Toimittajan laitepaketti
TO-126
Perustuotenumero
MJE180
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
MJE170, 71, 72, 80, 81, 82
Tietokortit
MJE180G
HTML-tietolomake
MJE180G-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
ONSONSMJE180G
2156-MJE180G-OS
MJE180GOS
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
2SD882
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
1330
DiGi OSA NUMERO
2SD882-DG
Yksikköhinta
0.28
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
MJE180 PBFREE
VALMISTAJA
Central Semiconductor Corp
Saatavilla oleva määrä
1112
DiGi OSA NUMERO
MJE180 PBFREE-DG
Yksikköhinta
0.84
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
Osanumero
MJE180STU
VALMISTAJA
Fairchild Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
7680
DiGi OSA NUMERO
MJE180STU-DG
Yksikköhinta
0.25
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
PZT751T1G
TRANS PNP 60V 2A SOT223
MJD32CT4G
TRANS PNP 100V 3A DPAK
MJF31C
TRANS NPN 100V 3A TO220FP
KSD568OTU
TRANS NPN 60V 7A TO220-3