Valmistajan tuotenumero:
MJE5731G
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
MJE5731G-DG
Kuvaus:
TRANS PNP 350V 1A TO220
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 1 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220
Varasto:
375 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12853165
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
MJE5731G Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
PNP
Virta - kollektori (ic) (enintään)
1 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
350 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
1V @ 200mA, 1A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
1mA
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Teho - Max
40 W
Taajuus - siirtyminen
10MHz
Käyttölämpötila
-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Perustuotenumero
MJE5731
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
MJE5731G-DG
MJE5731GOS
2832-MJE5731G
ONSMJE5731G
2156-MJE5731G-OS
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BC 846A E6433
TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23
KST3904MTF
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
MJE181G
TRANS NPN 60V 3A TO126
