Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
MJE800G
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
MJE800G-DG
Kuvaus:
TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 4 A 40 W Through Hole TO-126
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12855144
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
MJE800G Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
NPN - Darlington
Virta - kollektori (ic) (enintään)
4 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
60 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
2.5V @ 30mA, 1.5A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
100µA
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
750 @ 1.5A, 3V
Teho - Max
40 W
Taajuus - siirtyminen
-
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-225AA, TO-126-3
Toimittajan laitepaketti
TO-126
Perustuotenumero
MJE800
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
MJE700-703,800-803
Tietokortit
MJE800G
HTML-tietolomake
MJE800G-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
ONSONSMJE800G
2156-MJE800G-OS
MJE800GOS
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
BD677A
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
BD677A-DG
Yksikköhinta
0.46
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
KSE800STU
VALMISTAJA
Fairchild Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
1089
DiGi OSA NUMERO
KSE800STU-DG
Yksikköhinta
0.51
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
BD681G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
2370
DiGi OSA NUMERO
BD681G-DG
Yksikköhinta
0.26
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
BD677
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
100
DiGi OSA NUMERO
BD677-DG
Yksikköhinta
0.13
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
KSA709GBU
TRANS PNP 150V 0.7A TO92-3
MPS918G
TRANS NPN 15V 0.05A TO92
2SC4942-T1-AZ
TRANSISTOR
SMMBTA42LT3G
TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3