Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Kongon demokraattinen tasavalta
Argentiina
Turkki
Romania
Liettua
Norja
Itävalta
Angola
Slovakia
Ltaly
Suomi
Valko-Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Montenegro
Venäjä
Belgia
Ruotsi
Serbia
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Moldova
Saksa
Alankomaat
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Ranska
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Portugali
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Espanja
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
MUN5211DW1T1G
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
MUN5211DW1T1G-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Varasto:
23861 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12853506
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
j
U
j
e
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
MUN5211DW1T1G Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
10kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
10kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
-
Teho - Max
250mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Toimittajan laitepaketti
SC-88/SC70-6/SOT-363
Perustuotenumero
MUN5211
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
MUN5211DW1, NSBC114EDxx
Tietokortit
MUN5211DW1T1G
HTML-tietolomake
MUN5211DW1T1G-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
ONSONSMUN5211DW1T1G
MUN5211DW1T1GOS-DG
MUN5211DW1T1GOS
MUN5211DW1T1GOSCT
2156-MUN5211DW1T1G-OS
MUN5211DW1T1GOSTR
MUN5211DW1T1GOSDKR
2832-MUN5211DW1T1G
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
MUN5111DW1T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
MUN5237DW1T1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
MUN5211DW1T1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
MUN5234DW1T1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363