MUN5216DW1T1G
Valmistajan tuotenumero:

MUN5216DW1T1G

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

MUN5216DW1T1G-DG

Kuvaus:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Varasto:

17949 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12840368
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

MUN5216DW1T1G Tekniset tiedot

Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
4.7kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
-
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
250mV @ 1mA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
-
Teho - Max
250mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Toimittajan laitepaketti
SC-88/SC70-6/SOT-363
Perustuotenumero
MUN5216

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
MUN5216DW1, NSBC143TDXV6
Tietokortit
MUN5216DW1T1G
HTML-tietolomake
MUN5216DW1T1G-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
MUN5216DW1T1GOSTR
2832-MUN5216DW1T1G
MUN5216DW1T1G-DG
MUN5216DW1T1GOSDKR
MUN5216DW1T1GOSCT

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
onsemi

NSBC143EPDP6T5G

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963

onsemi

NSBA123JDP6T5G

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963

onsemi

NSBA114EDXV6T5G

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

onsemi

NSBC124XPDXV6T1G

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563