Valmistajan tuotenumero:
NDS9407_G
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
NDS9407_G-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 60 V 3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Varasto:
12857767
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NDS9407_G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
150mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
732 pF @ 30 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Perustuotenumero
NDS940
Lisätietoja
Vakio-paketti
1
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NVD5117PLT4G-VF01
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
NTD5865NL-1G
MOSFET N-CH 60V 46A IPAK
NTMFD4C50NT1G
MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
