Valmistajan tuotenumero:
NJVBDX53C
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
NJVBDX53C-DG
Kuvaus:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 65 W Through Hole TO-220
Varasto:
12859596
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NJVBDX53C Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
NPN - Darlington
Virta - kollektori (ic) (enintään)
8 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
100 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
2V @ 12mA, 3A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500µA
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
750 @ 3A, 3V
Teho - Max
65 W
Taajuus - siirtyminen
-
Käyttölämpötila
-
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Perustuotenumero
NJVBDX5
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS non-compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
