Valmistajan tuotenumero:
NSBC123EF3T5G
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
NSBC123EF3T5G-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 254 mW Surface Mount SOT-1123
Varasto:
12857592
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NSBC123EF3T5G Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset, esiviritetyt bipolaariset transistori
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
NPN - Pre-Biased
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
Vastus - pohja (R1)
2.2 kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
2.2 kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
8 @ 5mA, 10V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
250mV @ 5mA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Teho - Max
254 mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SOT-1123
Toimittajan laitepaketti
SOT-1123
Perustuotenumero
NSBC123
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
8,000
Muut nimet
ONSONSNSBC123EF3T5G
2156-NSBC123EF3T5G-OS
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
DTC123EM3T5G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
DTC123EM3T5G-DG
Yksikköhinta
0.03
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
DTC123EMT2L
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
1495
DiGi OSA NUMERO
DTC123EMT2L-DG
Yksikköhinta
0.06
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
DTC023EMT2L
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
70
DiGi OSA NUMERO
DTC023EMT2L-DG
Yksikköhinta
0.02
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SMMUN2211LT3G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
UNR31A1G0L
TRANS PREBIAS PNP 50V SSSMINI3
SMUN5235T1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
