NSVBC123JDXV6T5G
Valmistajan tuotenumero:

NSVBC123JDXV6T5G

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

NSVBC123JDXV6T5G-DG

Kuvaus:

SS SOT563 SRF MT RST XSTR
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

Varasto:

12969827
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

NSVBC123JDXV6T5G Tekniset tiedot

Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
2.2kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
47kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
250mV @ 1mA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
-
Teho - Max
500mW
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SOT-563, SOT-666
Toimittajan laitepaketti
SOT-563
Perustuotenumero
NSVBC123

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
8,000
Muut nimet
488-NSVBC123JDXV6T5GTR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
onsemi

NSBA114EDXV6T1

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4903FE,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1902,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1903,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP