NTB13N10T4G

Valmistajan tuotenumero:

NTB13N10T4G

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

NTB13N10T4G-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 100 V 13A (Ta) 64.7W (Ta) Surface Mount D2PAK

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12847860

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

NTB13N10T4G Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

-

Sarja

-

Tuotteen tila

Obsolete

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

100 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

13A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

165mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

550 pF @ 25 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

64.7W (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

D2PAK

Pakkaus / Kotelo

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Perustuotenumero

NTB13

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti

800

Muut nimet

NTB13N10T4GOS

Ympäristö- ja vientiluokitus

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

FDMS7660AS

MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN

onsemi

FDMS003N08C

MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56

alpha-and-omega-semiconductor

AOL1206

MOSFET N-CH 30V 16A/54A ULTRASO8

onsemi

NTD5867NL-1G

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK