Valmistajan tuotenumero:
NTB150N65S3HF
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
NTB150N65S3HF-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Varasto:
12844095
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NTB150N65S3HF Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
FRFET®, SuperFET® III
Tuotteen tila
Not For New Designs
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
24A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
150mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 540µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1985 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
192W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
NTB150
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
800
Muut nimet
NTB150N65S3HF-DG
488-NTB150N65S3HFCT
488-NTB150N65S3HFDKR
488-NTB150N65S3HFTR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXFA22N65X2
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
250
DiGi OSA NUMERO
IXFA22N65X2-DG
Yksikköhinta
2.56
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STB24N60M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
STB24N60M2-DG
Yksikköhinta
1.21
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NDS355AN_G
MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
NVMJS2D5N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
NTMFS4707NT3G
MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
