Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
NTD12N10G
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
NTD12N10G-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Surface Mount DPAK
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12858555
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NTD12N10G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
12A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
165mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
NTD12
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
NTD12N10
Tietokortit
NTD12N10G
HTML-tietolomake
NTD12N10G-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
75
Muut nimet
NTD12N10G-DG
NTD12N10GOS
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FQD13N10TM
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
FQD13N10TM-DG
Yksikköhinta
0.28
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
FDD1600N10ALZ
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
6334
DiGi OSA NUMERO
FDD1600N10ALZ-DG
Yksikköhinta
0.33
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
PHT6NQ10T,135
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
4949
DiGi OSA NUMERO
PHT6NQ10T,135-DG
Yksikköhinta
0.28
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
BUK7275-100A,118
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
68370
DiGi OSA NUMERO
BUK7275-100A,118-DG
Yksikköhinta
0.40
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NVTFS4824NWFTAG
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
NVTFWS005N04CTAG
MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
NTD5802NT4G
MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
NDD02N40-1G
MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK