NTD4860N-1G

Valmistajan tuotenumero:

NTD4860N-1G

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

NTD4860N-1G-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 25 V 10.4A (Ta), 65A (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12856780

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

NTD4860N-1G Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

-

Sarja

-

Tuotteen tila

Obsolete

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

25 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

10.4A (Ta), 65A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

16.5 nC @ 4.5 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1308 pF @ 12 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

1.28W (Ta), 50W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)

Asennustyyppi

Through Hole

Toimittajan laitepaketti

I-PAK

Pakkaus / Kotelo

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Perustuotenumero

NTD48

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

75

Muut nimet

ONSONSNTD4860N-1G

2156-NTD4860N-1G-ON

Ympäristö- ja vientiluokitus

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

NTLUS4930NTBG

MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN

onsemi

NVMFS5C456NLAFT3G

MOSFET N-CH 40V 22A/87A 5DFN

onsemi

NTMS7N03R2

MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC

onsemi

NTTFS4C10NTWG

MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN