NTD6415ANLT4G

Valmistajan tuotenumero:

NTD6415ANLT4G

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

NTD6415ANLT4G-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 100 V 23A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DPAK

Varasto:

5123 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12858208

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

NTD6415ANLT4G Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

100 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

23A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

52mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

35 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1024 pF @ 25 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

83W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

DPAK

Pakkaus / Kotelo

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Perustuotenumero

NTD6415

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

NTD6415ANLT4G-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

2,500

Muut nimet

ONSONSNTD6415ANLT4G

NTD6415ANLT4GOSCT

NTD6415ANLT4G-DG

NTD6415ANLT4GOSTR

NTD6415ANLT4GOSDKR

2156-NTD6415ANLT4G-OS

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

NVTFS003N04CTAG

MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN

onsemi

NTLGF3402PT1G

MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN

onsemi

NTD50N03R-001

MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK

renesas-electronics-america

RJK4514DPK-00#T0

MOSFET N-CH 450V 22A TO3P