Valmistajan tuotenumero:
NTD6416AN-1G
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
NTD6416AN-1G-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 71W (Tc) Through Hole IPAK
Varasto:
12861470
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NTD6416AN-1G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
17A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
81mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
71W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
IPAK
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
NTD64
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
75
Muut nimet
2156-NTD6416AN-1G-ON
NTD6416AN-1G-DG
NTD6416AN-1GOS
ONSONSNTD6416AN-1G
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SK8403160L
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSSO
UPA1912TE(0)-T1-AT
MOSFET P-CH 12V 4.5A SC95
NP109N04PUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
