NTGS4111PT1G

Valmistajan tuotenumero:

NTGS4111PT1G

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

NTGS4111PT1G-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP

Yksityiskohtainen kuvaus:

P-Channel 30 V 2.6A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Varasto:

36278 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12842211

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

NTGS4111PT1G Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

P-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

30 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

2.6A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

60mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

32 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

750 pF @ 15 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

630mW (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

6-TSOP

Pakkaus / Kotelo

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Perustuotenumero

NTGS4111

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

NTGS4111P, NVGS4111P

Tietokortit

HTML-tietolomake

NTGS4111PT1G-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

2156-NTGS4111PT1G-OS

NTGS4111PT1GOSCT

ONSONSNTGS4111PT1G

NTGS4111PT1GOSDKR

NTGS4111PT1GOSTR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

NTMSD3P102R2

MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC

infineon-technologies

BSC882N03MSGATMA1

MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON

onsemi

NTD4906N-35G

MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK

onsemi

SFT1443-TL-W

MOSFET N-CH 100V 9A DPAK/TP-FA