NTJS3151PT2G
Valmistajan tuotenumero:

NTJS3151PT2G

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

NTJS3151PT2G-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 12 V 2.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Varasto:

2987 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12847146
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

NTJS3151PT2G Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
12 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.8V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 100µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
850 pF @ 12 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
625mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SC-88/SC70-6/SOT-363
Pakkaus / Kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Perustuotenumero
NTJS3151

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
488-NTJS3151PT2GTR
NTJS3151PT2G-DG
488-NTJS3151PT2GCT
488-NTJS3151PT2GDKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Vaihtoehtoiset mallit

Osanumero
NTJS3151PT1G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
10336
DiGi OSA NUMERO
NTJS3151PT1G-DG
Yksikköhinta
0.10
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
alpha-and-omega-semiconductor

AO4405L

MOSFET P-CH 30V 6A 8SO

onsemi

FDR858P

MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8

onsemi

FQAF19N20

MOSFET N-CH 200V 15A TO3PF

onsemi

FDY101PZ

MOSFET P-CH 20V 150MA SC89-3