Valmistajan tuotenumero:
NTLJD3115PT1G
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
NTLJD3115PT1G-DG
Kuvaus:
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Yksityiskohtainen kuvaus:
Mosfet Array 20V 2.3A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Varasto:
14268 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12856869
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NTLJD3115PT1G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraatio
2 P-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.3A
Rds päällä (max) @ id, vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
531pF @ 10V
Teho - Max
710mW
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
6-WDFN Exposed Pad
Toimittajan laitepaketti
6-WDFN (2x2)
Perustuotenumero
NTLJD3115
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
NTLJD3115PT1GOSDKR
NTLJD3115PT1GOSCT
=NTLJD3115PT1GOSCT-DG
NTLJD3115PT1GOSTR
NTLJD3115PT1G-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NTJD1155LT1G
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
NTL4502NT1
MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16QFN
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
