Valmistajan tuotenumero:
NTLJF3117PT1G
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
NTLJF3117PT1G-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Varasto:
20724 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12856499
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NTLJF3117PT1G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
µCool™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.8V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
531 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
Schottky Diode (Isolated)
Tehohäviö (enintään)
710mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
6-WDFN (2x2)
Pakkaus / Kotelo
6-WDFN Exposed Pad
Perustuotenumero
NTLJF3117
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
NTLJF3117PT1GOSTR
NTLJF3117PT1GOSDKR
NTLJF3117PT1G-DG
ONSONSNTLJF3117PT1G
NTLJF3117PT1GOSCT
=NTLJF3117PT1GOSCT-DG
2156-NTLJF3117PT1G-OS
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RJK4002DPP-M0#T2
MOSFET N-CH 400V 3A TO220FL
NTMFS4935NT1G
MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN
NTMFS4C59NT1G
MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
