NTLUS3C18PZTBG

Valmistajan tuotenumero:

NTLUS3C18PZTBG

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

NTLUS3C18PZTBG-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN

Yksityiskohtainen kuvaus:

P-Channel 12 V 4.4A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12845087

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

NTLUS3C18PZTBG Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

-

Sarja

-

Tuotteen tila

Obsolete

FET-tyyppi

P-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

12 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

4.4A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

1.8V, 4.5V

Rds päällä (max) @ id, vgs

24mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

15.8 nC @ 4.5 V

Vgs (enintään)

±8V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1570 pF @ 6 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

660mW (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

6-UDFN (1.6x1.6)

Pakkaus / Kotelo

6-PowerUFDFN

Perustuotenumero

NTLUS3

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

NTLUS3C18PZTBG-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

2832-NTLUS3C18PZTBGTR

2156-NTLUS3C18PZTBG-OS

ONSONSNTLUS3C18PZTBG

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

NVD5865NLT4G

MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOC2417

MOSFET P-CH 20V 3.5A 4ALPHADFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF12N65A

MOSFET N-CH 650V 12A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AOW15S60

MOSFET N-CH 600V 15A TO262