Valmistajan tuotenumero:
NTMJS1D2N04CLTWG
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
NTMJS1D2N04CLTWG-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 41A (Ta), 237A (Tc) 3.8W (Ta), 128W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Varasto:
12845914
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NTMJS1D2N04CLTWG Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
41A (Ta), 237A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 170µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5600 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.8W (Ta), 128W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-LFPAK
Pakkaus / Kotelo
SOT-1205, 8-LFPAK56
Perustuotenumero
NTMJS1
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
488-NTMJS1D2N04CLTWGTR
488-NTMJS1D2N04CLTWGDKR
488-NTMJS1D2N04CLTWGCT
NTMJS1D2N04CLTWG-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
NVMJS1D2N04CLTWG
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
2990
DiGi OSA NUMERO
NVMJS1D2N04CLTWG-DG
Yksikköhinta
0.81
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AOT9N50
MOSFET N-CH 500V 9A TO220
AOB12N65L
MOSFET N-CH 650V 12A TO263
AO4304
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
