Valmistajan tuotenumero:
NTMTS1D6N10MCTXG
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
NTMTS1D6N10MCTXG-DG
Kuvaus:
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 36A (Ta), 273A (Tc) 5W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
Varasto:
2970 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12966315
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NTMTS1D6N10MCTXG Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
36A (Ta), 273A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 650µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
7630 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
5W (Ta), 291W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-DFNW (8.3x8.4)
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
488-NTMTS1D6N10MCTXGDKR
488-NTMTS1D6N10MCTXGTR
488-NTMTS1D6N10MCTXGCT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
NVMTS1D6N10MCTXG
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
9000
DiGi OSA NUMERO
NVMTS1D6N10MCTXG-DG
Yksikköhinta
3.04
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SI7840BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
SI5424DC-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
SIR826BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK