Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
NTP5860NG
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
NTP5860NG-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 220A (Tc) 283W (Tc) Through Hole TO-220
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12858476
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NTP5860NG Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
220A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
10760 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
283W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
NTP586
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
NTB/NTP5860N
Tietokortit
NTP5860NG
HTML-tietolomake
NTP5860NG-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
AOT266L
VALMISTAJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Saatavilla oleva määrä
758
DiGi OSA NUMERO
AOT266L-DG
Yksikköhinta
0.90
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
TK100A06N1,S4X
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
25
DiGi OSA NUMERO
TK100A06N1,S4X-DG
Yksikköhinta
1.07
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
FDP030N06B-F102
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
725
DiGi OSA NUMERO
FDP030N06B-F102-DG
Yksikköhinta
0.97
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
AOT264L
VALMISTAJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
AOT264L-DG
Yksikköhinta
1.10
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IRFB3206PBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
25755
DiGi OSA NUMERO
IRFB3206PBF-DG
Yksikköhinta
0.88
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF3205ZSTRR
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
NTQS6463R2
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP
NTD20N06LT4
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
IRF9610STRL
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK