Valmistajan tuotenumero:
NVB190N65S3F
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
NVB190N65S3F-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Varasto:
752 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12939003
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NVB190N65S3F Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
SuperFET® III
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
20A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 430µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1605 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
162W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
NVB190
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
800
Muut nimet
488-NVB190N65S3FCT
NVB190N65S3F-DG
488-NVB190N65S3FDKR
488-NVB190N65S3FTR
2156-NVB190N65S3F-488
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NVGS5120PT1G
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
NP15P04SLG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 15A TO252
NP82N03PUG-E1-AY
MOSFET N-CH 30V 82A TO263
