Valmistajan tuotenumero:
NVMFS4C01NT1G
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
NVMFS4C01NT1G-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 49A (Ta), 319A (Tc) 3.84W (Ta), 161W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Varasto:
12844140
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NVMFS4C01NT1G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
49A (Ta), 319A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
10144 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.84W (Ta), 161W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN, 5 Leads
Perustuotenumero
NVMFS4
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,500
Muut nimet
NVMFS4C01NT1G-DG
NVMFS4C01NT1GOSCT
NVMFS4C01NT1GOSTR
NVMFS4C01NT1GOSDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NTD32N06T4G
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
NTB18N06LT4
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
NTD4854N-35G
MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A IPAK
