Valmistajan tuotenumero:
NVMFS5C430NLWFAFT1G
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
NVMFS5C430NLWFAFT1G-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 38A (Ta), 200A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Varasto:
12842239
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NVMFS5C430NLWFAFT1G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
38A (Ta), 200A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4300 pF @ 20 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount, Wettable Flank
Toimittajan laitepaketti
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN, 5 Leads
Perustuotenumero
NVMFS5
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,500
Muut nimet
488-NVMFS5C430NLWFAFT1GDKR
NVMFS5C430NLWFAFT1G-DG
488-NVMFS5C430NLWFAFT1GCT
488-NVMFS5C430NLWFAFT1GTR
2832-NVMFS5C430NLWFAFT1G
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NVMFS5C670NLAFT1G
MOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN
MCH3478-S-TL-H
MOSFET N-CH 2A 30V MCPH3
NVTFS5124PLTWG
MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN