Valmistajan tuotenumero:
NVMYS3D3N06CLTWG
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
NVMYS3D3N06CLTWG-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 3.9W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Varasto:
12917758
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NVMYS3D3N06CLTWG Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
26A (Ta), 133A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
40.7 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2880 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.9W (Ta), 100W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
LFPAK4 (5x6)
Pakkaus / Kotelo
SOT-1023, 4-LFPAK
Perustuotenumero
NVMYS3
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
NVMYS3D3N06CLTWGOS-DG
NVMYS3D3N06CLTWGOS
NVMYS3D3N06CLTWGOSDKR
NVMYS3D3N06CLTWGOSTR
NVMYS3D3N06CLTWGOSCT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
NTMYS3D3N06CLTWG
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
2015
DiGi OSA NUMERO
NTMYS3D3N06CLTWG-DG
Yksikköhinta
2.56
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SIR864DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIS447DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
SI2333DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
