Valmistajan tuotenumero:
RFP22N10
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
RFP22N10-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 22A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
12856264
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RFP22N10 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
22A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
80mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 20 V
Vgs (enintään)
±20V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
100W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
RFP22
Lisätietoja
Vakio-paketti
400
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STP24NF10
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
720
DiGi OSA NUMERO
STP24NF10-DG
Yksikköhinta
0.64
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NTTFS5826NLTAG
MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
NTTFS4929NTAG
MOSFET N-CH 30V 6.6A/34A 8WDFN
SFT1342-E
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK/TP
