Valmistajan tuotenumero:
2SC33120RA
Product Overview
Valmistaja:
Panasonic Electronic Components
Osan numero:
2SC33120RA-DG
Kuvaus:
TRANS NPN 55V 0.1A NS-B1
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 55 V 100 mA 200MHz 300 mW Through Hole NS-B1
Varasto:
12841744
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
2SC33120RA Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
Panasonic
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
55 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
1V @ 10mA, 100mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
1µA
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
180 @ 2mA, 5V
Teho - Max
300 mW
Taajuus - siirtyminen
200MHz
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
3-SIP
Toimittajan laitepaketti
NS-B1
Perustuotenumero
2SC3312
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
2SC33120RACT
2SC33120RATB
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
2SD19960TA
TRANS NPN 20V 0.5A MT-1
PN2484_D75Z
TRANS NPN 60V 0.1A TO92-3
2SB0709A0L
TRANS PNP 45V 0.1A MINI3
