Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
UNR411F00A
Product Overview
Valmistaja:
Panasonic Electronic Components
Osan numero:
UNR411F00A-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 50V NS-B1
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 300 mW Through Hole NS-B1
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12859099
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
UNR411F00A Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset, esiviritetyt bipolaariset transistori
Valmistaja
Panasonic
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
PNP - Pre-Biased
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
Vastus - pohja (R1)
4.7 kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
10 kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 10V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
80 MHz
Teho - Max
300 mW
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
3-SIP
Toimittajan laitepaketti
NS-B1
Perustuotenumero
UNR411
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
UNR411F00A
HTML-tietolomake
UNR411F00A-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
UN411F-(TA)
UNR411F00ATB
UNR411F00ACT
UNR411F00ATB-NDR
UNR411F00ACT-NDR
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
UNR9217G0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SSMINI3
NSVMUN5237T1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
NSBC143EF3T5G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
UNR211600L
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A MINI3