Valmistajan tuotenumero:
UNR421200A
Product Overview
Valmistaja:
Panasonic Electronic Components
Osan numero:
UNR421200A-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 50V NS-B1
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 300 mW Through Hole NS-B1
Varasto:
12860170
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
UNR421200A Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset, esiviritetyt bipolaariset transistori
Valmistaja
Panasonic
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
NPN - Pre-Biased
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
Vastus - pohja (R1)
22 kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
22 kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
150 MHz
Teho - Max
300 mW
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
3-SIP
Toimittajan laitepaketti
NS-B1
Perustuotenumero
UNR421
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
UNR421200ATB
UNR421200ACT
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
UNR31A3G0L
TRANS PREBIAS PNP 50V SSSMINI3
UNR515400L
TRANS PREBIAS PNP 30V SMINI3
UNR511V00L
TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI3
