Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Kongon demokraattinen tasavalta
Argentiina
Turkki
Romania
Liettua
Norja
Itävalta
Angola
Slovakia
Ltaly
Suomi
Valko-Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Montenegro
Venäjä
Belgia
Ruotsi
Serbia
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Moldova
Saksa
Alankomaat
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Ranska
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Portugali
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Espanja
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
UP04112G0L
Product Overview
Valmistaja:
Panasonic Electronic Components
Osan numero:
UP04112G0L-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI5
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini6-F2
Varasto:
7975 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12938982
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
UP04112G0L Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
Panasonic
Paketti
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
22kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
22kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
80MHz
Teho - Max
125mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SOT-563, SOT-666
Toimittajan laitepaketti
SSMini6-F2
Perustuotenumero
UP0411
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
UP04112G0L
HTML-tietolomake
UP04112G0L-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
8,000
Muut nimet
UP04112G0LDKR
UP04112G0LTR
UP04112G0LCT
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
RN2903FE(TE85L,F)
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
3450
DiGi OSA NUMERO
RN2903FE(TE85L,F)-DG
Yksikköhinta
0.04
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
NSBA124XDXV6T1G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
NSBA124XDXV6T1G-DG
Yksikköhinta
0.05
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NSVMUN5332DW1T1G
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88
NSBC123JPDXV6T1
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
NSBA124EDXV6T5G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSBC114EPDP6T5G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963