PJA3411_R1_00001

Valmistajan tuotenumero:

PJA3411_R1_00001

Product Overview

Valmistaja:

Panjit International Inc.

Osan numero:

PJA3411_R1_00001-DG

Kuvaus:

SOT-23, MOSFET

Yksityiskohtainen kuvaus:

P-Channel 20 V 3.1A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23

Varasto:

118691 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12964775

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

PJA3411_R1_00001 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

PANJIT

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

P-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

20 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

3.1A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

1.8V, 4.5V

Rds päällä (max) @ id, vgs

100mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

5.4 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±12V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

416 pF @ 10 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

1.25W (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

SOT-23

Pakkaus / Kotelo

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Perustuotenumero

PJA3411

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

PJA3411_R1_00001

HTML-tietolomake

PJA3411_R1_00001-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

3757-PJA3411_R1_00001DKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

toshiba-semiconductor-and-storage

TPHR9203PL1,LQ

UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ

vishay-siliconix

SIHG22N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC

panjit

PJP18N20_T0_00001

TO-220AB, MOSFET

panjit

2N7002K_R1_00001

SOT-23, MOSFET