PJS6403_S1_00001

Valmistajan tuotenumero:

PJS6403_S1_00001

Product Overview

Valmistaja:

Panjit International Inc.

Osan numero:

PJS6403_S1_00001-DG

Kuvaus:

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Yksityiskohtainen kuvaus:

P-Channel 30 V 6.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

Varasto:

420 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12997476

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

PJS6403_S1_00001 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

PANJIT

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

P-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

30 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

6.4A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

32mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

7.8 nC @ 4.5 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

870 pF @ 15 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

2W (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

SOT-23-6

Pakkaus / Kotelo

SOT-23-6

Perustuotenumero

PJS6403

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

3757-PJS6403_S1_00001TR

3757-PJS6403_S1_00001DKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

goford-semiconductor

GT52N10D5

MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L

nexperia

PXP012-30QLJ

P-CHANNEL TRENCH MOSFET

epc-space

FBG10N30BC

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

FDC638P-P

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6