Valmistajan tuotenumero:
2SD2164-AZ
Product Overview
Valmistaja:
Renesas Electronics Corporation
Osan numero:
2SD2164-AZ-DG
Kuvaus:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 110MHz 2 W Through Hole MP-45F
Varasto:
1540 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12936208
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
2SD2164-AZ Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
Renesas Electronics Corporation
Paketti
Bulk
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - kollektori (ic) (enintään)
3 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
60 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
500mV @ 20mA, 2A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
10µA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
800 @ 500mA, 5V
Teho - Max
2 W
Taajuus - siirtyminen
110MHz
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Aste
-
Ehto
-
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Toimittajan laitepaketti
MP-45F
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
313
Muut nimet
2156-2SD2164-AZ
RENRNS2SD2164-AZ
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
2SD2646-YD
BIP NPN 10A 700V
MJW21196G
TRANS NPN 250V 16A TO247-3
2SD2324-TB-E
BIP NPN 0.8A 15V