UPA1902TE-T1-AT
Valmistajan tuotenumero:

UPA1902TE-T1-AT

Product Overview

Valmistaja:

Renesas

Osan numero:

UPA1902TE-T1-AT-DG

Kuvaus:

UPA1902TE-T1-AT - N-CHANNEL MOS
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-95

Varasto:

111000 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12976838
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

UPA1902TE-T1-AT Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Renesas Electronics Corporation
Paketti
Bulk
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
22mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
780 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
200mW (Ta)
Käyttölämpötila
150°C
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SC-95
Pakkaus / Kotelo
SC-95

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti
999
Muut nimet
2156-UPA1902TE-T1-AT

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
RoHS non-compliant
REACH-tilanne
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
renesas-electronics-america

NP80N055MHE-S18-AY

NP80N055MHE-S18-AY - SWITCHINGN-

fairchild-semiconductor

FDBL0150N60

FDBL0150N60 - N-CHANNEL POWERTRE

nxp-semiconductors

BUK7225-55A,118

N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEV

renesas-electronics-america

UPA2706GR-E1-AT

UPA2706GR-E1-AT - MOS FIELD EFFE