Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
DTC015TEBTL
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
DTC015TEBTL-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Varasto:
5980 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13522536
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DTC015TEBTL Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset, esiviritetyt bipolaariset transistori
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN - Pre-Biased
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
Vastus - pohja (R1)
100 kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 10V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA (ICBO)
Taajuus - siirtyminen
250 MHz
Teho - Max
150 mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SC-89, SOT-490
Toimittajan laitepaketti
EMT3F (SOT-416FL)
Perustuotenumero
DTC015
Tietolehtinen ja asiakirjat
Luotettavuutta koskevat asiakirjat
EMT3F DTRTG Reliability Test
Suunnittelun resurssit
EMT3F Inner Structure
Tekniset tiedot
DTC015TEB
DTA114EEFRA
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
DTC015TEBTLTR
DTC015TEBTLDKR
DTC015TEBTLCT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DTB123ECHZGT116
TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
DTC363EUT106
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.6A UMT3
DTB123EKT146
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3
DTC114WKAT146
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3