Valmistajan tuotenumero:
EMH3T2R
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
EMH3T2R-DG
Kuvaus:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Varasto:
528 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13521842
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
EMH3T2R Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
4.7kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
-
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
-
Taajuus - siirtyminen
250MHz
Teho - Max
150mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SOT-563, SOT-666
Toimittajan laitepaketti
EMT6
Perustuotenumero
EMH3T2
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Luotettavuutta koskevat asiakirjat
Suunnittelun resurssit
Lisätietoja
Vakio-paketti
8,000
Muut nimet
EMH3T2R-ND
EMH3T2RTR
EMH3T2RCT
EMH3T2RDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
PEMD6,115
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
4000
DiGi OSA NUMERO
PEMD6,115-DG
Yksikköhinta
0.06
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
RN1910FE,LF(CT
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
4750
DiGi OSA NUMERO
RN1910FE,LF(CT-DG
Yksikköhinta
0.02
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
