Valmistajan tuotenumero:
EMH6T2R
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
EMH6T2R-DG
Kuvaus:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Varasto:
13524531
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
EMH6T2R Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
47kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
47kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
250MHz
Teho - Max
150mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SOT-563, SOT-666
Toimittajan laitepaketti
EMT6
Perustuotenumero
EMH6T2
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
8,000
Muut nimet
EMH6T2RCT
EMH6T2R-ND
EMH6T2RTR
Q7007303
EMH6T2RDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
EMH2T2R
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
87850
DiGi OSA NUMERO
EMH2T2R-DG
Yksikköhinta
0.08
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
DDC144EH-7
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
5220
DiGi OSA NUMERO
DDC144EH-7-DG
Yksikköhinta
0.10
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IMD1AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
IMH15AT110
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
EMB11T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
